【據(jù)日本東北大學網(wǎng)站2019年6月19日報道】日本東北大學的科研人員開發(fā)出一種新型磁隧道結(MTJ)，可以使自扭矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)的熱穩(wěn)定因子增加1.5-2倍，無需提高寫入電流、或降低隧道磁阻比。研究小組發(fā)明了一種結構，將CoFeB/MgO界面數(shù)量較常規(guī)結構增加了兩倍，增加了界面磁各項異性，同時優(yōu)化了MTJ的結構設計，從而確保在提高熱穩(wěn)定因子的同時，不增加功耗、不降低隧道磁阻比。研究團隊采用了與當前批產(chǎn)STT-MRAM相同的材料組，并保持了與第一代10納米技術兼容，相關論文《Novel Quad interface MTJ technology and its first demonstration with high thermal stability and switching efficiency for STT-MRAM beyond 2Xnm》已在6月9-14日日本京都舉行的VLSI技術和電路年會上發(fā)表。研究人員認為該項技術可以用于批產(chǎn)，可擴展STT-MRAM在消費類電子領域的應用范圍。
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